로옴, 650V 내압 양극성 트랜지스터 개발

반도체ㆍ디스플레이입력 :2018/04/17 14:18

일본 로옴(ROHM)은 650볼트(V) 내압 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT) 'RGTV 시리즈'와 'RGW 시리즈'를 개발했다고 21일 밝혔다.

신제품은 산업기기 및 민생기기의 범용 인버터·컨버터에서의 전력 변환에 적합하다. 박형 웨이퍼 기술과 독자적인 구조가 채용된 게 특징이다.

제품에 채용된 박형 웨이퍼 기술은 기존 제품 대비 웨이퍼 두께를 15% 얇게 구현했다는 평가다.

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일본 로옴(ROHM)이 650V 내압 IGBT 'RGTV 시리즈'와 'RGW 시리즈'를 개발했다. (사진=로옴)

신제품은 애플리케이션의 소비전력을 낮추는 데에 중점을 두고 개발됐다. 예를 들어, 인터리브 방식 인쇄 회로기판(PFC)에서 이 제품을 사용하면 기존 제품 대비 경부하 시 1.2%, 중부하 시 0.3%의 고효율화를 달성할 수 있다.

신제품 샘플은 지난해 10월부터 1개당 400엔의 가격으로 출하되고 있다. 로옴은 지난해 12월부터 월 10만개씩 이 제품을 양산 중이다. 생산 거점은 전공정 라피스 세미컨덕터 미야자키 주식회사, 후공정 ROHM Integrated systems(태국)이다.