SK하이닉스, 20나노급 4Gb 그래픽 D램 개발

일반입력 :2012/09/19 09:22    수정: 2012/09/19 09:44

송주영 기자

SK하이닉스(대표 권오철)는 업계 최초로 20나노급 4Gb 그래픽 DDR3 D램을 개발했다고 19일 밝혔다.

이 제품은 1.35V 동작전압에서 1.8Gbps 처리속도를 구현할 수 있어 16개의 정보입출구(I/O)를 통해 초당 3.6기가바이트(GB)의 데이터를 처리할 수 있다.

업계 최초로 동일 제품에서 1.5V 동작전압도 함께 지원해 2.0Gbps의 처리속도로 초당 4GB의 데이터 처리가 가능하다.

그래픽 D램은 PC나 게임기 등에서 영상을 처리하는데 쓰이는 메모리로 많은 용량의 데이터를 한꺼번에 처리할 수 있는 빠른 속도가 특징이다. 처리속도가 빨라질수록 소비전력도 증가하기 때문에 저전력 제품에서는 빠른 처리속도를 구현하기가 어려웠다. 20나노급 4Gb 그래픽 DDR3 D램은 저전력 노트북에 적합한 1.35V의 동작전압을 구현하면서도 현재 데스크탑 수준의 그래픽 성능을 제공할 수 있는 것이 특징이다. 기존 30나노급 1.5V 제품대비 전력소모를 30% 이상 줄여 그래픽 메모리의 친환경 저전력 방향을 제시했다.

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김지범 SK하이닉스 마케팅본부 전무는 “최근 개발된 20나노급 그래픽 DDR3 제품은 저전력과 빠른 처리속도를 동시에 구현한 제품으로 이 제품으로 향후 그래픽 분야에서도 저전력 시대를 본격적으로 열어 가겠다”고 말했다.

SK하이닉스는 20나노급 4Gb 그래픽 DDR3 제품을 올해 4분기부터 양산해 고용량 저전력 그래픽 D램 시장을 선도한다는 계획이다.