14nm급 미세공정을 적용해 반도체를 만들기 위해서는 전자빔 리소그래피가 적합하다는 주장이 프랑스 연구소를 통해 제기됐다. 그동안 10nm대 미세공정을 적용한 칩을 구현하기 위해 극자외선(EUV) 리소그래피와 전자빔 리소그래피가 대안으로 제시돼 왔다.
EE타임스는 13일(현지시간) 프랑스 원자력 에너지연구위원회 산하 전자정보기술연구소(CEA-Leti)가 전자빔 리소그래피 방식에 대한 연구개발을 확대하기로 했다고 보도했다.
CEA-Leti는 네덜란드 소재 리소그래피 장비전문기업인 매퍼 리소그래피와 연구개발을 확장할 것이라고 발표하면서 이와 같이 말했다.
연구소와 매퍼가 공동으로 개발하고 있는 전자빔 리소그래피 장비 연구개발에는 ST마이크로일렉트로닉스, TSMC 등을 포함해 13개 회사 50여명의 전문가가 참여하고 있다.
버트 잔 캄퍼비크 매퍼 최고경영자는 “올해 매퍼는 이 기술을 이용해 시간 당 웨이퍼 1장을 뽑아내던 데서 10장까지 확대할 것”이라고 밝혔다.
로렌트 멜리어 CEA-Leti 최고경영자(CEO)는 “전자빔 리소그래피 장비 개발은 앞으로 3년간 더 지속될 것”이라며 “그 동안 산업 내에 관심을 높일 것”이라고 말했다.
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현재 20nm 이하 미세공정을 반도체에 적용하기 위해서는 기존 장비를 이용해 회로를 두번 겹쳐서 그리는 이른 바 ‘더블패터닝’ 방식을 주로 사용한다. 이 방식은 그동안 공정수가 두 배로 늘어 비용이 증가하고, 수율이 떨어지는 점이 단점으로 지적됐다.
이를 대체하기 위한 새로운 기술로 연구개발 중인 것이 EUV 리소그래피와 전자빔 리소그래피이다.
