삼성전자는 2020년 정기 임원인사를 통해 삼성전자 반도체연구소 Flash TD팀장에 신유균 부사장을 승진 선임했다고 21일 밝혔다.
신유균 부사장은 Planar, V-Nand 등 Flash 전 제품에 대한 단위공정 및 Integration 분야 최고 수준의 전문가로 V-Nand 선행제품 개발을 주도했다.
◇ 신유균 삼성전자 반도체연구소 Flash TD팀장(부사장) 약력
▲ 54세(1965년생)
▲카이스트 재료공학 (2002년 박사)
▲카이스트 재료공학(1990년 석사)
▲서울대학교 금속공학 (1988년 학사)
▲ 90.02 ~ 09.12 삼성전자 메모리사업부 공정개발팀
▲10.01 ~ 10.12 삼성전자 반도체연구소 공정개발팀 공정개발3P/J
▲ 10.12 ~ 13.12 삼성전자 반도체연구소 공정개발팀 공정개발2P/J장
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▲13.12 ~ 14.12 삼성전자 반도체연구소 메모리TD팀 Flash TD팀
▲14.12 ~ 현재 삼성전자 반도체연구소 메모리TD실 Flash TD팀장
