삼성전자, 中 시안공장 증설…3D 낸드플래시 주도권 확대

삼성전자가 중국 시안의 낸드플래시 공장을 증설한다. 3D 낸드플래시 물량을 늘려 향후 확대될 현지 시장에서 주도권을 확실히 잡고 가겠다는 전략으로 풀이된다.

삼성전자는 낸드플래시 뿐만 아니라 D램도 증설을 검토하고 있는 것으로 알려졌다. 경기도 화성 S3 라인의 2단계 투자를 시스템LSI에서 D램으로 전환하는 방안을 고민하고 있다.

12일 관련업계에 따르면 삼성전자는 최근 중국 시안공장 낸드플래시 증설을 결정하고 2단계 라인에 투입될 장비 발주를 시작했다. 시안공장에서 양산되는 3D V낸드 물량을 늘리기 위해서다.

시안공장 V낸드 2단계 추가투자 규모는 12인치 웨이퍼 기준 6만5천장으로 추정된다. 앞서 삼성전자는 시안공장에서 1단계 투자를 통해 6만장 규모의 양산 설비를 갖춘 것으로 알려졌다.

삼성전자는 지난해 5월 시안공장 가동 준비를 마치고 V낸드 양산을 시작했다. 1단계에는 7조원 이상을 투자했다. 시안에서는 V낸드가 양산되고 있다. 삼성전자는 지난 2013년 10월 국내에서 세계 최초로 24단 3D V낸드 양산에 성공했으며 이어 V낸드를 생산 공장을 시안으로 확대했다.

삼성전자는 V낸드 물량을 늘려 3D 낸드플래시 시장에서 주도권을 강화할 전망이다. 3D낸드플래시는 현재 삼성전자만이 양산을 하고 있지만 향후 경쟁사들이 뛰어들면서 낸드플래시에서의 비중이 점차 커질 것으로 예상된다.

시장조사업체 IHS아이서플라이는 낸드플래시 시장에서 3D 제품의 비중을 올해 4.5%로 전망했다. 내년에는 21.2%, 오는 2017년에는 41.2%로 그 비중은 급속도로 커질 것으로 예상했다. 삼성전자 뿐만 아니라 SK하이닉스, 도시바, 인텔 등 낸드플래시 업체들은 올해 하반기 이후 3D 낸드플래시 시장에 연이어 뛰어들 계획이다.

3D 낸드의 비중이 늘어나는 이유는 낸드플래시 공정이 10나노대로 미세화되면서 고집적화가 어려워지고 있기 때문이다. 3D낸드플래시는 평면형태의 셀을 수직으로 쌓아올려 단위면적당 집적도를 높였다. 원통형으로 수직 구조로 구현하기 때문에 쉽게 고밀도 낸드플래시를 구현할 수 있고 전력 소비면에서도 장점이 있다.

이달 초 서울 신라호텔에서 열린 삼성전자 '투자자포럼2015'에서 이동기 삼성전자 메모리사업부 스토리지 솔루션 담당 상무는 3D 낸드플래시인 V낸드에 대해 “셀을 원통형으로 구현하기 때문에 전자를 더 많이 담을 수 있고 셀투셀 간섭현상도 줄일 수 있다”고 설명했다.

이 상무는 “3D V낸드의 발전을 단계적으로 끊임없이 추진하겠다”며 “연내로 3세대 V낸드를 발표할 것”이라고도 말했다. 삼성전자는 V낸드의 적층수를 높여 지난 2013년 24단을 시작으로 지난해 32단, 올해는 48단 낸드를 출시할 계획이다. V낸드의 적층수가 높아지면 그만큼 더 고집적화된 낸드플래시를 구현할 수 있다.

한편 삼성전자는 낸드플래시 뿐만 아니라 D램 투자도 확대하는 방안을 고민 중인 것으로 알려졌다. 경기도 화성의 S3 라인을 시스템LSI 라인이 아닌 D램 라인으로 전환하는 방안을 검토중인 것으로 알려졌다. D램의 시황이 좋아 시스템LSI와 비교해 수익성이 높기 때문이다.