성균관대 안종렬 교수와 송인경 박사가 주도한 연구팀이 1나노미터(10억분의 1미터)보다 작은 반도체를 실리콘 기판에 대면적으로 제작할 수 있음을 실험으로 밝혀냈다.
이번 연구로 1나노미터 보다 작은 원자 단위에서도 실리콘 반도체를 기판 사이즈로 제작할 수 있음이 증명돼, 국제적으로 실리콘 반도체 기술의 우수성을 또 한번 입증하게 됐다.
연구팀은 실리콘 기판위에 대면적으로 서로 다른 특성을 지닌(전자 도핑 정도가 다른) 1나노미터 이하의 금속선을 반복적으로 배열하는데 성공했다.
또한 반복적으로 배열된 두 종류의 금속선 중에서 한 종류의 금속선만을 선택해 대면적으로 특성을 제어할 수 있음을 실험으로 밝혔다. 특히 연구팀은 이번 실험 증명이 현재 양산되고 있는 반도체에 직접 사용되는 실리콘 기판위에서 수행됐다는 점이 의미가 있다고 밝혔다.
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안종렬 교수는 “이번 연구결과를 통해 대면적 실리콘 반도체 제작이 1나노미터를 넘어 그 이하 단계인 원자 수준에서도 실현될 수 있을 것으로 기대한다”고 밝혔다.
한편 이번 연구는 교육부와 한국연구재단이 추진하는 일반연구자지원사업(기본연구)의 지원으로 수행됐고, 연구결과는 나노분야의 권위지 나노 레터스(Nano Letters) 1월 15일자에 게재됐다.
