삼성전자-SK하이닉스, LPDDR4 첫 개발

LPDDR3 대비 성능 2배 향상, 전력 40% 절감

삼성전자와 SK하이닉스가 세계 최초로 20나노급 기술을 적용한 LPDDR4(Low Power Double Data Rate4) 제품을 나란히 개발했다. LPDDR4는 표준화가 진행 중인 차세대 모바일 D램 규격으로 초고속, 저전력의 특성을 갖췄다.

양사가 8Gb LPDDR4 모바일 D램 개발에 성공함에 따라 지금까지 LPDDR3 규격에 머물러 있던 모바일 D램 시장은 LPDDR4로 또 한 번의 세대교체를 이룰 것으로 전망된다.

삼성전자와 SK하이닉스는 최첨단 20나노급 기술을 적용한 8기가비트(Gb) LPDDR4 D램을 개발하고 내년부터 양산에 나설 계획이라고 30일 밝혔다.

삼성전자가 개발한 8Gb LPDDR4 모바일 D램은 국제반도체표준화기구인 제덱(JEDEC)이 표준으로 확정한 LVSTL(Low Voltage Swing Terminated Logic) IO 인터페이스 기술을 적용해 기존 LPDDR3 보다 2배 빠른 데이터 처리속도인 3,200Mb/s를 구현했고 1.1볼트(V) 저전력 아키텍쳐를 적용해 소비전력도 40% 낮췄다.

이 제품 4개를 적층하면 4기가바이트(GB) D램을 구성할 수 있다. 삼성전자는 내년 상반기부터 8Gb LPDDR4 모바일 D램 양산에 나서 풀HD보다 4배 높은 초고화질 UHD를 지원하는 대화면 스마트폰, 태블릿, 울트라슬림 노트북과 함께 최신 고성능 네트워크 등 프리미엄 시장을 본격 공략해 나간다는 계획이다.

전영현 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀장 부사장은 차세대 LPDDR4 모바일 D램은 내년 D램 시장에서 가장 큰 비중을 차지하게 될 모바일 D램의 지속 성장에 크게 기여할 것으로 기대된다며 차세대 모바일 D램과 솔루션을 한 발 앞서 출시해 글로벌 모바일 업체들이 혁신적인 모바일 기기를 적기에 출시하고 소비자에게 더욱 편리함을 제공하는 데 기여할 것이라고 말했다.

SK하이닉스의 20나노급 8Gb LPDDR4 역시 현재 시장 주력제품인 기존 LPDDR3의 1600Mbps 대비 2배 빠른 3,200Mbps 이상의 데이터 전송속도를 갖췄으며, 동작전압 측면에서도 기존 LPDDR3의 1.2V 대비 낮은 1.1V를 구현했다.

현재 SK하이닉스는 이 제품의 샘플을 주요 고객 및 SoC(System on Chip) 업체에 제공해 새로운 모바일 D램 규격 표준화를 위한 협업을 강화하고 있다. 이 제품은 내년 하반기부터 양산할 계획이다.

진정훈 SK하이닉스 마케팅본부장 전무는 “6Gb 및 8Gb LPDDR3에 이어 8Gb LPDDR4도 세계 최초로 개발함으로써 기술 리더십을 공고히 했다”며 “향후에도 고용량, 초고속, 저전력 제품 개발을 통해 모바일 분야 경쟁력을 더욱 강화하겠다”고 말했다.

한편, LPDDR4는 내년 말부터 플래그십 모바일 기기에 채용되기 시작해 2015년부터는 시장이 본격화되고, 2016년에는 주력 제품이 될 것으로 업계에서는 내다보고 있다.