모토롤라「성능 두 배」트랜지스터 개발 성공

모토로라의 연구팀은 지난 10일 각각의 게이트가 서로 독립적으로 작동하는 듀얼게이트 트랜지스터를 세계 최초로 개발했다고 발표했다. 이 트랜지스터는 성능은 올리는 동시에 전력 소모는 줄이는 이상적인 특성을 가지고 있다.듀얼 또는 트리플게이트 트랜지스터란 반도체 업체들이 추구해온 여러 개발 목표 가운데 하나다. 트랜지스터란 칩 속에 들어있는 초소형의 온오프 스위치(게이트가 전기를 지나가게 하느냐 아니냐에 따라)를 말하는데, 컴퓨터는 이것을 1이나 0으로 읽게 된다.멀티게이트 트랜지스터를 개발하려는 이윤는 드라이브 커런트를 분산시키기 위해서였다. 드라이브 커런트란 반도체 한 개를 움직이는데 필요한 전기량을 말하는데, 드라이브 커런트를 높이면 성능은 올라가지만 이런 장점을 무색하게 할만한 단점, 바로 누전 등의 문제점들이 더욱 심각해진다. 즉, 멀티게이트 트랜지스터가 내장된 칩은 과열되지 않고도 빠르게 동작할 수 있게 된다.대부분의 멀티게이트 트랜지스터 디자인을 살펴보면, 트랜지스터 게이트들은 다 같이 움직인다. 그러나 모토로라의 MIGFET(Multiple Independent Gate Field Effect Transistor)에서는 트랜지스터 게이트가 따로 독립돼 있어서 칩 디자이너의 의도에 따라 같이 작동할 수도 있고 서로 독립된 트랜지스터와 같은 기능도 할 수 있다. 결국 성능을 증가시키거나 전력 소모를 줄일 수 있는 등 여러 옵션들이 가능해진다. 모토롤라는 기존 트랜지스터의 절반만 가지고도 같은 작업을 수행할 수 있게 된다고 설명했다. 마이크로프로세서 리포트의 수석 편집장인 케빈 크루웰은 "모토롤라는 어느 정도의 유연성을 확보하게 될 것이다"라고 말했다.모토로라에서는 새로운 트랜지스터들이 언제부터 프로세서에 내장될지에 대해 언급하지 않았다. 그러나 업계 전문가들에 따르면, 이런 종류의 트랜지스터들은 45나노미터 제조 공정에 적용될 것이라고 한다. 45나노미터 공정은 2007년도나 2008년경부터 적용될 것으로 기대되고 있다.모토로라 반도체 제품 부서의 CIO 클로딘 심슨은 "이번 기술은 웨이퍼 크기나 처리 구조와는 별개의 것이다. 따라서 기존 생산 기술에서도 성공적으로 도입될 수 있다"라며, "모토로라는 이 같은 최신 기기들을 계속해서 발전시키고 다양한 처리 기술과 제품군에 통합시킨다는 계획을 가지고 있다"라고 말했다. @