삼성전자는 10나노급 8Gb DDR4 D램을 2월부터 양산했다고 5일 밝혔다.
연내 PC와 서버용 10나노 D램에 이어 모바일 D램도 10나노급으로 선보인다는 계획이다.
20나노 4Gb DDR3 D램 양산에 이어 10나노급 8Gb DDR4 D램의 양산에는 ‘초고집적 설계 기술’과 ‘사중 포토 노광 기술’, ‘초균일 유전막 형성 기술’ 등이 적용됐다. 때문에 극자외선(EUV) 노광장비의 도입 없이도 10나노급 D램을 양산이 가능하다.
초고집적 설계 기술은 삼성전자가 독자적으로 개발한 차세대 반도체 설계 기술로, 이를 통해 20나노 8Gb DDR4 D램보다 생산성을 30% 이상 높였다.
10나노급(1x) 8Gb DDR4 D램은 초고속 초절전 설계 기술이 적용돼 기존 20나노 대비 동작속도가 30% 이상 빠른 3천200Mbps를 구현할 수 있고, 동작 상태에 따라 소비전력을 10%~20% 절감할 수 있다.
미세공정 한계를 극복하기 위해 낸드플래시 양산에 적용한 사중 포토 노광 기술을 업계 최초로 D램에도 구현했다.
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아울러 D램은 초미세 캐패시터에 충분한 양의 전하를 저장하기 위해 초균일 원자 유전막 형성 기술이 필요하다. 10나노급 D램은 캐패시터의 유전막을 옹스트롬(10분의 1나노) 단위의 초박형 원자 물질로 균일하게 형성해 더욱 높은 속도에도 안정적으로 동작하는 우수한 셀 특성을 확보했다.
전영현 삼성전자 메모리사업부 사장은 “10나노급 D램은 글로벌 IT 고객들에게 최고 효율의 시스템 투자 솔루션을 제공할 것”이라며 “향후 차세대 초고용량 초절전 모바일 D램 출시를 통해 모바일 시장 선도 기업들이 더욱 혁신적인 제품을 적기에 출시해 글로벌 소비자의 사용 편리성을 대폭 향상하는데 기여해 나갈 것”이라고 말했다.
